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光電技術(shù)綜合實訓(xùn)平臺
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光電技術(shù)綜合實訓(xùn)平臺

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產(chǎn)品介紹

光電技術(shù)綜合實訓(xùn)平臺是由光學(xué)導(dǎo)軌、數(shù)字儀表及電子元器件平臺、52單片機(jī)設(shè)計組件及CCD設(shè)計組件等部分構(gòu)成,儀器配備各種電源接口及0-200V 高壓可調(diào)電源和0-12V低壓可調(diào)電源,可為學(xué)生搭建各種實驗電路提供電源。學(xué)生能夠利用平臺自行搭建各種光學(xué)系統(tǒng)、光電傳感器的變換及處理電路,完成多種關(guān)于光電技術(shù)方面的應(yīng)用開發(fā)設(shè)計,從各方面提高學(xué)生的動腦動手能力及創(chuàng)新意識,幫助高校培養(yǎng)光電技術(shù)人才。

1、光學(xué)導(dǎo)軌:可利用導(dǎo)軌滑塊自行調(diào)節(jié)光學(xué)配件的距離,配合電子元器件搭建出幾何光學(xué)、物理光學(xué)、光電檢測與光電控制等系統(tǒng),并與儀器內(nèi)部的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)相結(jié)合完成各種實驗系統(tǒng)。

2、數(shù)字儀表平臺:平臺提供2塊數(shù)字電壓表(四位半),2塊數(shù)字電流表(四位半)和1塊自動更換量程的數(shù)字照度計,這些數(shù)字儀表可以應(yīng)用在電路中進(jìn)行各種電路參數(shù)的測量。

3、電阻、電容及器件平臺:此平臺配備各種電阻、電容、二極管、三極管、集成運算放大器、光電耦合器件,學(xué)生在此平臺靈活搭建電路來完成實驗。

4、52單片機(jī)程序下載平臺:學(xué)生在此平臺來完成有關(guān)單片機(jī)方面的設(shè)計實驗也可做畢業(yè)設(shè)計、創(chuàng)新設(shè)計。

5、線陣CCD驅(qū)動電路平臺:學(xué)生在此平臺自行設(shè)計線陣CCD驅(qū)動電路。

6、現(xiàn)場可編程邏輯器件(CPLD)設(shè)計平臺:通過CPLD進(jìn)行開發(fā)設(shè)計,提高學(xué)生動腦能力。7、計算機(jī)功能軟件:平臺配備有各種功能軟件,包括線陣CCD尺寸測量、角度測量、位移測量、條碼識別、圖像掃描軟件,面陣CCD邊緣與輪廓檢測、物體的尺寸測量、圖像的點運算、圖像的幾何變換、圖像采集與參數(shù)設(shè)置、投影與差影圖像分析、圖像的濾波與增強(qiáng)、形態(tài)學(xué)處理、旋轉(zhuǎn)與縮放、顏色識別與變換等圖像處理軟件。不但提供DEMO演示軟件還提供SDK軟件開發(fā)包,供學(xué)生進(jìn)行二次開發(fā)。



教學(xué)目的

1、了解并掌握各種光學(xué)配件及其實驗的原理和應(yīng)用;

2、了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路;

3了解并掌握52單片機(jī)程序編寫;

4、了解并掌握52單片機(jī)外圍電路設(shè)計;

    5、了解CPLD的應(yīng)用開發(fā)技術(shù);


配置內(nèi)容

    光電二極管2只;光電三極管2只;光敏電阻2只;硅光電池1只;發(fā)光二極管R、G、B、W四色1只;PIN光電二極管1只;雪崩光電二極管(APD)1只;UVM-30A紫外線探測傳感器1只; LED點光源裝置1支; 光電器件安裝裝置2件;熱釋電實驗裝置1件;PSD實驗裝置1件;光柵莫爾條紋實驗裝置1件;四象限光電傳感器及實驗裝置1套;線陣CCD相機(jī)及夾持器1套;彩色面陣CCD相機(jī)與相機(jī)夾持器1套; USB2.0接口8位A/D線陣CCD數(shù)據(jù)采集卡1塊;50mm相機(jī)鏡頭1個彩色面陣CCD圖像采集卡1塊;面陣CCD圖像采集標(biāo)準(zhǔn)圖片及夾持裝置1套;尺寸測量實驗裝置1件;傾角測量實驗裝置1件;條形碼識別實驗裝置1件;振動實驗裝置1件;52單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)裝置1套;白色遠(yuǎn)心照明光源1只;650nm點型3mw半導(dǎo)體激光器1只;圖像掃描實驗裝置1件;導(dǎo)軌固定底座4個;導(dǎo)軌底座支撐桿4個;一維調(diào)整架1個;二維調(diào)整架1個;三維調(diào)整架1個;100mm、200mm、300mm、400mm、 500mm連接線各5顆;



技術(shù)參數(shù)

1、數(shù)字電壓表:精度四位半;量程 20V,200V;

2、數(shù)字電流表:精度四位半;量程 20mA,200mA;

3、數(shù)字照度計:自動更換量程;測量范圍 0.1~1.999×10x;

4、光電二極管:暗電流 ID=±0.1uA;光電流 IL=±80uA;峰值響應(yīng) 880nm;最高工作電壓 30V;開關(guān)時間 50/50ns;光譜范圍 4001100nm;
    5、光電三極管:集電極-發(fā)射極電壓 30V;發(fā)射極-集電極電壓 5V;集電極電流 20mA;
    6、光敏電阻:暗電阻 1.0 MΩ;亮電阻 8~20 KΩ10Lx);
    7、硅光電池:開路電壓小于500mV;短路電流小于18mA;輸出電流小于16.5mA;

感光面積10X10mm;

    8、PIN光電二極管:反向電壓 40V;峰值波長 920nm;開路電壓 0.4V;短路電流 85uA;

    9、雪崩光電二極管(APD):工作電壓 100V150V;峰值波長(λp 660nm;

10、四象限光電傳感器:光敏直徑 13mm;光譜響應(yīng)范圍 380~1100nm;

11、一維PSD:光敏區(qū)1mm*8mm;光譜響應(yīng)范圍300-1100nm;Ev=1000LX   2856K 時,開 路電壓為0.3V,短路電流為55μA;PSD調(diào)整架:位移范圍13mm;位移精度0.01mm;

12、熱釋電器件:型號:RE200B;靈敏元面積:2.0×1.0mm2;基片材料:硅;基片厚度:0.5mm;工作波長:5-14μm;平均透過率>75%;

13、光電耦合器:型號:4N35;隔離電壓:5300V ;輸入電流:10mA;輸出電壓:30V;工 作溫度范圍:-55°C to +100°C;最大正向電流, If:60mA;正向電壓 Vf 最大:1.5V;電壓, Vceo:30V;電壓, Vf 典型值:1.3V;輸出電壓 最大:30V;擊穿電壓 最小:30V;電流傳遞率(CTR) 最小值:100%;

14、CPLD:最大延遲時間 tpd(1)10.0ns;電壓電源 - 內(nèi)部3 V ~ 3.6 V邏輯元件/邏輯 塊數(shù)目4;宏單元數(shù)64;門數(shù)1250;輸入/輸出數(shù)34;工作溫度0°C ~ 85°C;

    15、線陣CCD相機(jī):有效像元數(shù) 2160像元;像元尺寸(μm) 14×14×14;靈敏度(V/lx.s) 45;動態(tài)范圍 1700;

16、彩色面陣CCD相機(jī):有效像元數(shù) 768(水平)×576(垂直);

17、線陣CCD數(shù)據(jù)采集卡USB2.0接口、8位A/D數(shù)據(jù)采集系統(tǒng);

18、彩色面陣CCD圖像采集卡:分辨率 8bit×3采集;USB2.0接口;

19、鏡頭:焦距50mm;

20、電器參數(shù):輸入電壓AC220V,50Hz; 功耗 200W;

21、接口方式:與計算機(jī)連接接口為USB2.0總線接口方式;

22、計算機(jī)系統(tǒng)配置: 19英寸液晶顯示器;內(nèi)存 2.0GB;CPU速度高于2.4GHz;硬盤高于250G;USB2.0接口;防水耐用鍵盤及光電鼠標(biāo);

23、操作軟件:操作系統(tǒng)與Windows2000WindowsXP、Windows7兼容;

    24、主機(jī)尺寸:700mm× 550mm×280mm,重量:24 kg,導(dǎo)軌長度:700mm;


能夠完成下述實驗內(nèi)容:

光電技術(shù)方面實驗

1、光敏電阻特性參數(shù)及其測量;

2、光敏電阻伏安特性實驗;

    3、光敏電阻的變換電路;

4、光敏電阻時間響應(yīng)特性;

5、光電二極管光照靈敏度的測量;

6、光電二極管伏安特性的測量;

7、光電二極管時間響應(yīng)特性的測量;

8、硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的特性參數(shù)及其測量;

9、測量硅光電池在反向偏置下的時間響應(yīng);

10、光電三極管光照靈敏度的測量;

11、光電三極管伏安特性的測量;

12、光電三極管時間響應(yīng)的測量;

13、光電三極管光譜特性的測量;

14、光電耦合器電流傳輸比的測量;

15、光電耦合器件伏安特性的測量;

16、光電耦合器件時間相應(yīng)的測量;

17、熱釋電器件基本原理實驗;

18、熱釋電器件光譜響應(yīng)的測試實驗;

19、PSD位移傳感器特性參數(shù)的測量;

20、四象限光電傳感特性實驗;

21、雪崩光電二極管(APD)特性實驗;

22、PIN光電二極管特性實驗;

23、線陣CCD驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計實驗;

24、太陽能電池實驗;

25、光電測距實驗;

26、光調(diào)制解調(diào)實驗;

光電檢測技術(shù)實驗

1、線陣CCD 原理與驅(qū)動特性

2、線陣CCD 輸出特性的測量

3、利用線陣CCD 進(jìn)行物體外形尺寸的測量

4、線陣CCD 的A/D 數(shù)據(jù)采集

5、用軟件提取邊緣信號的二值化

6、利用線陣CCD 測量物體的傾斜角度

7、條形碼的測量與識別實驗

8、用線陣CCD 測量物體的振動

9、利用線陣CCD 進(jìn)行圖像掃描

10、光柵與莫爾條紋實驗;

11、面陣CCD原理與驅(qū)動實驗;

12、利用面陣CCD測量物體外形尺寸;

13、利用面陣CCD提取物體的邊緣與輪廓;

14、利用面陣CCD進(jìn)行圖像采集與參數(shù)設(shè)置;

15、利用面陣CCD進(jìn)行投影與差影圖像分析;

16、利用面陣CCD進(jìn)行圖像的濾波與增強(qiáng);

17、利用面陣CCD進(jìn)行形態(tài)學(xué)處理;

18、利用面陣CCD進(jìn)行物體的旋轉(zhuǎn)與縮放;

19、利用面陣CCD對顏色識別;

20、利用面陣CCD進(jìn)行圖像信息的點運算;

21、利用面陣CCD進(jìn)行圖像的幾何變換;

22、利用面陣CCD進(jìn)行數(shù)據(jù)采集實驗;

(一)二次開發(fā)實驗(52單片機(jī)開發(fā)實驗)

152單片機(jī)程序編寫實驗;

2、52單片機(jī)外圍電路設(shè)計實驗;

    3、基于52單片機(jī)的數(shù)字時鐘設(shè)計實驗;

(二)CPLD應(yīng)用技術(shù)方面的實驗

1、編寫與設(shè)計時鐘邏輯電路實驗;

2、編寫與設(shè)計2160像元的線陣CCD驅(qū)動電路實驗;

    3、編寫與設(shè)計線陣CCD二值化數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)邏輯電路;


平臺配套文件資料

1、實驗指導(dǎo)書1本;

2、軟件:平臺軟、硬件使用手冊等內(nèi)容;

3、實驗錄像光盤1套 ;

備注:客戶自行配置示波器。



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