當前我國先進的集成電路量產(chǎn)工藝已經(jīng)進入到14nm，以EUV光刻機為代表的工藝制造設(shè)備價格非常昂貴，高校很難采購這類設(shè)備用于教學，同時，新手操作容易損壞，又有一定的危險性，使得高校集成電路工藝教育與真實工藝線人才需求脫節(jié)。為此，我們研發(fā)了14nm集成電路工藝套件。

該套件包含如下內(nèi)容

1. 完整的14nm工藝線虛擬制造設(shè)備操作：氧化爐、CVD設(shè)備、PVD設(shè)備、刻蝕機、離子注入機、退火設(shè)備、外延設(shè)備。
2. 完整的14nm工藝線虛擬制造步驟及晶圓微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學特性等：氧化、淀積、光刻、刻蝕、離子注入、擴散、退火、外延。
3. 完成的14nm工藝線典型器件制造步驟及器件微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學特性等：14nm FinFET；GaAs；LDMOS；MOSFET；BJT；DIODE；RESISTOR。

4. 完整支持半導體工藝實驗課的軟硬件設(shè)施和全套實驗教材。
5. 支持課程：工業(yè)級半導體工藝實驗。

課程大綱/36學時

1：干氧氧化工藝實驗	2：濕氧氧化工藝實驗
3：離子注入的深度與能量關(guān)系實驗	4：離子注入的劑量與摻雜濃度關(guān)系實驗
5：離子注入的角度影響實驗	6：擴散工藝時間對摻雜濃度的影響實驗
7：擴散工藝溫度對摻雜濃度的影響實驗	8：二極管制造實驗
9：集成電路電阻制造實驗	10：MOSFET制造實驗
11：變?nèi)莨苤圃鞂嶒?/td>	12：SOI制造實驗
13：FinFET制造實驗	14：三極管制造實驗
15：LDMOS制造實驗	16：JFET制造實驗
17：GaAs制造實驗

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